在当今的高性能的电源系统设计中，确保可靠性至关重要，因此高效的功能必须可以处理潜在的问题。同步整流电流反向就是这样一个问题。这发生在电容电流(寄生效应引起的)导致MOSFET在轻负载的情况下被过早激活时–然后反向电流从输出电容流回同步整流器。这不仅导致系统能效受到严重影响，还可能会导致运行故障。

　　为了防止这种情况的发生，必须在系统处于轻载条件时采取措施增加延迟。自适应死区时间控制机制可以弥补寄生电感的存在，从而减轻体二极管导通的不良影响。通过这种方法，可以调整同步整流器关断点，以保持一个恒定的死区时间，而不受当时输出负载的影响。从而持续保持高能效和对相应的热管理规定更少的要求(由于散热的减少)。

　　得益于专有的自适应死区时间控制算法，安森美半导体的FAN6248双MOSFET驱动器控制器IC，能够充分解决上述挑战。同时，它可以帮助工程师最大化电源能效，并使系统尽可能紧凑、简单和具性价比。